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NEA GaN光电阴极的光谱响应

1.19万字 28页 原创作品，通过查重系统


毕业设计说明书中文摘要
GaN是一种新型半导体材料，在紫外光电阴极领域有着广泛的应用前景。
本文通过介绍Spice提出的光电发射三部模型，详细介绍了光电发射从内部光电子激发、光电子从内部传输到表面、穿过表面势垒逸出的过程。以及介绍了负电子亲和势的原理，说明了NEA特性对光电阴极领域的重要作用。
本文还介绍了GaN材料的晶体结构和能级结构，说明了电子从GaN光电阴极发射到真空的过程和机理。
通过测试Cs/O激活后获得负表面势后的光谱响应，比较了NEAGaN光电阴极相比起传统光电阴极的优势，提出了改进GaN光谱响应的方向。


关键词：NEA GaN 光电阴极 光谱响应