掺杂tio2的zno-bi2o3压敏电阻器的性能及_外文翻译(中英文).rar

掺杂TiO2的ZnO-Bi2O3压敏电阻器的性能及发展

傅静 徐政
( 同济大学材料科学与工程学院, 上海 200092)
摘要 本文回顾了ZnO压敏电阻的历史,阐述了ZnO压敏电阻器的性能以及当前基础性研究的现状,并对其发展进行了展望。压敏电阻器未来的发展趋势是生产低压高能多层式ZnO压敏电阻器。二种添加剂由于功能不同而加以区分，我们从理论上分析了Bi2O3和TiO2添加剂的作用机理。TiO2的添加促进了ZnO晶粒的长大，进一步减小了晶界击穿电压。特别是毫微米级胶体TiO2添加剂的使用，为低电压ZnO压敏电阻器的制造提出了新的方法。此外，烧结温度对ZnO压敏电阻的电性能也有着重要影响。一般，低电压ZnO压敏陶瓷的适当烧结温度不应超过1250℃。这些影响为研究低电压ZnO压敏电阻提供了有效、合理的方法。

关键词 ZnO压敏电阻器 性能 发展 添加剂 Bi2O3 TiO2 晶粒生长