90纳米双边沿操作低功耗sram设计与实现毕业论文.doc

目 录
目录 1
第1章 绪论 1
1.1 课题来源与意义 1
1.2 SRAM的发展现状 2
1.3 主要内容和章节安排 2
1.3.1 主要工作内容 2
1.3.2 论文章节安排 4
第2章 双边沿操作SRAM设计 5
2.1 SRAM整体结构框架 5
2.2 译码电路设计 5
2.3 灵敏放大器设计 7
2.3.1 灵敏放大器介绍 7
2.3.2灵敏放大器分类 8
2.3.3 两级灵敏放大器 10
2.4 时序发生电路设计 11
2.4.1 读时序 11
2.4.2 写时序 12
2.4.3 主控时钟信号PRE2的产生 12
2.5 本章小结 13
第3章 SRAM版图实现与验证 14
3.1 版图概述 14
3.2 工艺与设计规则 15
3.3 SRAM版图 19
3.4 物理验证 20
3.4.1 设计规则检查（DRC, Design Rule Check） 20
3.4.2 电气规则检查（ERC, Electronic Rule Check） 22
3.4.3 版图与电路图同一性比较（LVS, Layout Versus Schematic） 22
3.5 寄生参数提取 24
3.6 部分模块版图说明 26
3.6.1 SRAM Cell版图 26
3.6.2 灵敏放大器版图 27
3.7 本章小结 28
第4章 系统仿真与性能分析 29
4.1 仿真工具介绍 29
4.1.1 VCS 29
4.1.2 NanoSim 29
4.2 混和信号仿真平台搭建 30
4.2.1 VCS-NanoSim联合仿真平台 30
4.2.2 仿真平台设置 31
4.2.3 仿真激励设置 33
4.3 读写操作仿真 34
4.3.1 读操作仿真结果 34
4.3.2 写操作仿真结果 37
4.4 SRAM各部分功耗分析 39
4.5 不同运行环境下的性能分析 41
4.5.1 不同工艺角与温度下的性能 41
4.5.2 频率与功耗 42
4.5.3 Cell晶体笯@叽缬牍 43
4.6 本章小结 43
第5章 结论与展望 45
5.1 结论 45
5.2 进一步研究的方向 45
致谢 46
参考文献 47
个人简历，在研究生期间发表的学术论文 48