氮化硅（snm）存储器,编程过程 中，电子通过sio2和部分si3n4的 fn隧穿、与电荷陷阱态间的直接隧穿、从电荷陷阱态的pf发射是主要输运机制 进入到氮化硅的电子进入到陷阱态第1项是p-f发射，第2项是陷阱电子的隧穿场发射，第三项是低场限制电路en是氮化硅中的电场，e2是陷阱能级 编号:5-240933大小:18.74M合同范本大全
