bjt的设计.ppt

一、通用的设计考虑
1、发射区的设计 （实际工艺流程中是最后制备成的）
发射区的参数只影响JB、寄生电阻、电容和最终的IC，但不影响JC
设计中通常不通过调节JB来调节器件性能
发射区设计的要求：
根据实际需要的电流决定发射区的面积
获得尽可能小的基极电流
获得尽可能小的发射区电阻
使IB稳定、可重复
由于发射区的掺杂浓度很高  性能的稳定和可重复重要
同时为降低发射极接触电阻通常利用硅化物工艺
由于EB结空间电荷区的影响，扩散或注入的发射区当WB<100nm以后无法满足稳定工艺的要求。（扩散E区的结深约为300nm）
对于薄基区通常采用多晶硅发射区，结深可达25nm，但存在re大的问题