硕士毕业论文——硅薄膜的制备及光学性能研究.doc

摘要：本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜生长速率线性增加。红外光谱测试表明，硅薄膜中含有少量H，并以SiH2 的形式存在，随着溅射功率的提高，薄膜中的H 含量逐渐增加，而其光学能隙逐渐从1.58eV 增加到1.74eV。光致发光实验显示，硅薄膜在380nm 和730nm 处出现了两处发光峰，其峰位几乎没有变化，而其发光强度和硅薄膜中氧化硅的含量有关。