ge表面自组装纳米结构的制备及其光致发光性能
摘要 采用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对单晶锗进行表面辐照处理，利用光学显微镜（OM），原子力显微镜（AFM），扫描电子显微镜（SEM），透射电子显微镜（TEM）对辐照后样品的微观结构进行详细的表征，并考察了HCPEB辐照后样品的光致发光性能。实验结果表明：辐照后样品表面形成的微观缺陷以空位簇缺陷以及位错圈为主。PL结果显示辐照后单晶Ge样品具有蓝光发射特性，发光机理为镶嵌在轻微氧化或氮化的非晶结构中的Ge纳米晶的量子限制效应。此外，HCPEB辐照在样品表面形成了纳米晶结构，在样品表面也形成了“圆顶型”和“流线型纳米条带”自组装纳米结构。
关键字：强流脉冲电子束(HCPEB)；锗；自组装纳米结构；光致发光
