高介电ccto薄膜制备技术研究.doc

高介电CCTO薄膜制备技术研究
Research of high dielectric CCTO thin film preparation technology

1.2万字 37页 原创作品，已通过查重系统


摘要 高介电CCTO材料具有良好的性能和广泛的应用价值。本文详细论述了CCTO材料的结构、制备方法、改性机理及其他性能。本课题通过溶胶-凝胶法制备Al、P、Si元素掺杂CCTO溶液，经陈化制备溶胶，通过浸渍提拉法获得薄膜，并将薄膜于900℃退火2h，得到均匀的CCTO薄膜。通过X射线衍射检测其物相组成，利用原子力显微镜观察其微观形貌，其介电性能和压敏性能分别用Agilent 4294A阻抗分析仪和CJ1001压敏测试仪进行测试。由比较普遍的观点，CCTO材料的巨介电性能是由于其内部阻挡层电容（IBLC）产生。本课题旨在分析研究不同掺杂对CCTO薄膜性能的影响。通过Al、P、Si元素的掺杂，可以看到介电常数和介质损耗都产生了提高。通过比较三组实验，在掺杂量为0.2的时候，介电性能发生显著提高，同时其具有良好的E-J非线性特征。Al元素的p型掺杂和P元素的n型掺杂对CCTO材料性能的影响有待进一步研究。


关键词： CCTO；高介电材料；溶胶-凝胶法