soi材料的抗辐射改性机理研究,soi材料的抗辐射改性机理研究research on the mechanism for total dose irradiation hardness of soi material1.6万字37页原创作品,已通过查重系统 摘 要众所周知,作为集成电路流片的晶圆材料,绝缘体上硅(soi)相比于体硅材料具有漏电流小、器件速度快、低功耗以及消除了闩锁效应等优势。soi的介质隔离结构使得器件.. 大小:2.33M合同范本大全
内容介绍
SOI材料的抗辐射改性机理研究 Research on the mechanism for Total dose irradiation hardness of SOI material